Samsung pode aumentar os preços dos telefones graças à falta de memória

Tem havido algum temor de que o aumento dos custos de memória da Samsung impactasse outros fabricantes que usam sua DRAM em dispositivos. Aparentemente, a escassez está afetando tanto o fabricante de memória que os próprios telefones Galaxy da Samsung podem sofrer um aumento de preço.

Um relatório recente indica que a Samsung está considerando um aumento de preço nos telefones Galaxy devido aos gastos com produção de memória (via Hankyung). Especificamente, o artigo observa que “telefones de preço baixo a médio” estão sendo considerados para aumentos de preços.

Isso significaria que a principal série Galaxy S da Samsung estaria livre de um aumento no custo, embora os detalhes ao redor sejam vagos. Se for verdade, os dispositivos das séries Galaxy A e M seriam os que mais sofreriam.

Foi relatado que a Samsung ainda está enfrentando falta de memória, embora a causa possa ter evoluído ou se tornado mais clara. A escassez está sendo atribuída à crescente demanda por memória de alta largura de banda usada em servidores de IA. O hardware de memória usado nesses servidores precisa ser mais complexo do que a DRAM padrão, então fabricantes como a Samsung passaram a produzir uma quantidade maior, o que levou a menos espaço para produzir DRAM padrão para PC e dispositivos móveis.

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A produção da HBM também custa muito mais, mas o preço dos módulos DRAM da própria Samsung também aumentou. Informamos em maio de 2025 que o estoque da Samsung listava aumentos de preços para DRAM DDR4 e DDR5 em até 20%. Pensava-se que esse aumento se devia ao aumento das tarifas, embora também possa ter tido algo a ver com o início da escassez.

Por outro lado, os dispositivos Galaxy S podem não estar totalmente isentos de aumentos de preços devido à evolução do hardware de IA e aos custos associados a isso.

Espera-se que a escassez de DRAM esteja em vigor por “mais de dois anos”, de acordo com relatórios de análise. A Samsung está tentando conter isso com uma linha de produção avançada de DRAM expandida, mas ainda falta um ano ou mais.